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[ 作者:佚名 点击数:2047 日期:2012年6月11日 ]
规格(尺寸)
125×125
导电类型
P型,掺杂 P type
晶向
<100>±3°
电阻率范围(欧母·厘米)
0.5~3 Ω.cm
少子寿命 (μs)
≥10
氧含量(atoms/cm
3
)
≤1.0×10
18
碳含量(atoms/cm
3
)
≤5×10
16
位错密度(个/cm
2
)
≤3000
晶体硅片边长(mm)
125×125±0.5
对角线(mm)
150±0.5
厚度值(μm)
200±20
厚度差异(μm)
≤30
弯曲度(μm)
<50
外观状况
清洁,无污,无指纹,无凹坑,无孔洞
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